基本參數(shù)

1、刻蝕尺寸：4吋及以下；

2、刻蝕材料：單晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Al、W、Mo和金屬氧化物薄膜等；

3、離子束入射角：0~90°之間任意調整；

4、Ar+離子能量范圍：150~950eV，連續(xù)可調；

5、離子束流密度：0.1~0.9mA/cm2，連續(xù)可調

6、有效離子束直徑：≥Φ100mm；

7、刻蝕速率：0.05~0.8μm/min；

8、中和裝置：帶有熱絲結構的電子中和裝置；

9、操作方式：半自動控制方式；

10、系統(tǒng)總控：人機界面及控制程序；

11、電源：220VAC/50Hz，9KW；

12、機器重量：700kg；

13、機器尺寸: D810mm× W1520mm×H1830mm。

電源及刻蝕反應室

1、電源：直流電源。

2、反應室：上蓋啟閉，操作方便，單室；

3、反應室規(guī)格：Φ400′300mm；

4、真空度：≤2×10-4 Pa(腔體充分烘烤除氣，去濕后)；

5、抽氣時間：系統(tǒng)充干燥 N2解除真空后短時暴露，大氣壓~ 5×10-3 Pa 時間≤ 30min。

真空測量系統(tǒng)及氣體配置

1、真空計：數(shù)顯復合真空計 1套，測量低真空和高真空；

2、供氣：Ar氣體，進氣壓力0.4～0.6Mpa，工藝氣體純度為：99.999﹪。

冷卻系統(tǒng)

1、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)；

2、保護系統(tǒng)：對泵、電極等缺水等異常情況進行報警并執(zhí)行相應保護。